Другие журналы

научное издание МГТУ им. Н.Э. Баумана

НАУКА и ОБРАЗОВАНИЕ

Издатель ФГБОУ ВПО "МГТУ им. Н.Э. Баумана". Эл № ФС 77 - 48211.  ISSN 1994-0408

Публикации с ключевым словом - AlAs/GaAs гетероструктуры

Найдено: 1
Исследование перспектив применения резонансно-туннельных диодов в качестве нелинейных элементов субгармонических смесителей радиосигналов
# 11, ноябрь 2015
УДК: 001.891.573
Черкасов К. В., Баховадинов М. С.
Проведенное исследование направлено на изучение преимуществ, получаемых при замене нелинейного элемента субгармонического смесителя с диода с барьером Шоттки (ДБШ) на резонансно-туннельный диод (РТД). Рассмотрены два варианта реализации субгармонического смесителя – однодиодный и балансный, произведено сравнение показателей качества назначения смесителей на резонансно-туннельном диоде (потерь преобразования, динамических диапазонов по уровню 1дБ-компрессии и IP3) с аналогом на диоде с барьером Шоттки. В ходе исследования была синтезирована вольт-амперная характеристика резонансно-туннельного диода, обеспечивающая дополнительное повышение качества смесителя по сравнению с исходным вариантом вольт-амперной характеристики (ВАХ) экспериментального макета РТД.
 
ПОИСК
 
elibrary crossref ulrichsweb neicon rusycon
 
ЮБИЛЕИ
ФОТОРЕПОРТАЖИ
 
СОБЫТИЯ
 
НОВОСТНАЯ ЛЕНТА



Авторы
Пресс-релизы
Библиотека
Конференции
Выставки
О проекте
Rambler's Top100
Телефон: +7 (915) 336-07-65 (строго: среда; пятница c 11-00 до 17-00)
  RSS
© 2003-2017 «Наука и образование»
Перепечатка материалов журнала без согласования с редакцией запрещена
 Тел.: +7 (915) 336-07-65 (строго: среда; пятница c 11-00 до 17-00)